広帯域半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之 |
| 发表日期 | 2005-01-07 |
| 专利号 | JP3633296B2 |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 広帯域半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【課題】 広帯域に亘って平坦な利得特性を有する広帯域半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 活性層3が光の伝搬方向に並ぶ3つの活性層3-1,3-2,3-3に分割され、光の入射側に位置する第一活性層には光の伝搬方向に層厚が減ずるテーパ部Aが形成され、光の出射側に位置する第三活性層には光の伝搬方向とは逆方向に層厚が減ずるテーパ部Cが形成され、前記第一活性層と前記第三活性層との中間に位置する第二活性層には、光の伝搬方向とは逆方向に層厚が減ずるテーパ部Dと光の伝搬方向に層厚が減ずるテーパ部Bとが形成され、前記テーパ部Aと前記テーパ部Dとが光結合するように互いに接して積層され、かつ前記テーパ部Bと前記テーパ部Cとが光結合するように互いに接して積層されている。それぞれの活性層の利得特性を合わせた広帯域の利得特性が得られる。 |
| 公开日期 | 2005-03-30 |
| 申请日期 | 1998-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35250]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之. 広帯域半導体光増幅器. JP3633296B2. 2005-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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