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半導体レーザ結合装置および半導体受光装置

文献类型:专利

作者嶋岡 誠; 石川 忠明; 福田 和之; 黒口 克己
发表日期2005-06-03
专利号JP3684305B2
著作权人日本オプネクスト株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レーザ結合装置および半導体受光装置
英文摘要【課題】半導体レーザとファイバとを光結合し、-40〜85℃の広い温度環境で光結合変動が生じないこと、半導体レーザの温度上昇をできるだけ抑える低コストモジュール構造とする。具体的には、プラスチックケースに光結合系を収納すると、ケース変形で光結合が変動すること、熱抵抗が増大することがある。 【解決手段】ケース開口部付近に補強用のフレーム挿入し、ケース及び基板のそりを抑える構造とし、さらに、外部のアルミナ基板実装で変形を抑える。すなわち、結合安定性をケースを工夫してとることと外部基板に積装することで良くする。また、熱抵抗についても同様にフレームと外部アルミナ基板で抑える。
公开日期2005-08-17
申请日期1998-09-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35257]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
嶋岡 誠,石川 忠明,福田 和之,等. 半導体レーザ結合装置および半導体受光装置. JP3684305B2. 2005-06-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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