窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩谷 素顕; 竹内 哲也; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇 |
| 发表日期 | 2009-04-24 |
| 专利号 | JP4298023B2 |
| 著作权人 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】多層薄膜の結晶性を改善する。 【解決手段】窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記単結晶層に成長面内の結晶歪が下部の単結晶層の成長面内の結晶歪から圧縮側へ移行するようにした。 |
| 公开日期 | 2009-07-15 |
| 申请日期 | 1998-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35262]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩谷 素顕,竹内 哲也,天野 浩,等. 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法. JP4298023B2. 2009-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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