半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 玉石 正幸; 香西 博; 伊藤 嘉之 |
| 发表日期 | 2004-03-26 |
| 专利号 | JP3538602B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 1つのサブマウント上に2つのレーザーチップを高い位置精度で、狭いピッチにてボンディングする半導体レーザー装置を製造するための方法および装置を提供する。 【解決手段】 2つのチップを中間ステージにおいて外形認識し、位置補正した後にサブマウントにボンディングを行うボンディングステージ上でコレットを電極にしチップに電圧をかけ、それぞれ2つのチップを発光させて発光点データを基に最終位置補正を行いボンディングする。コレットをチップ表面に対して斜めに配置することによって、狭いピッチにて2つのチップをボンディングすることができる。 |
| 公开日期 | 2004-06-14 |
| 申请日期 | 2001-05-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35413]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉石 正幸,香西 博,伊藤 嘉之. 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置. JP3538602B2. 2004-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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