半導体レーザ素子の入出力特性検出方法とその装置
文献类型：专利
| 作者 | 井川 克彦 |
| 发表日期 | 2007-11-02 |
| 专利号 | JP4034805B2 |
| 著作权人 | ダイトロンテクノロジー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の入出力特性検出方法とその装置 |
| 英文摘要 | 【課題】短パルス駆動における半導体レーザ素子の入出力特性を正確に検出することができる方法を提供する。 【解決手段】短パルス駆動における半導体レーザ素子1の入出力特性を検出するにあたり、比較的長いパルス幅のパルス駆動において、半導体レーザ素子1から放射されるパルス光の全光束を受光する第1受光素子60と、該第1受光素子60より小さい受光面積を有し短パルス駆動時に出力されるパルス光を検出するのに十分な応答性能を備える第2受光素子62の両受光素子60、62によって入出力特性およびその微分特性を測定し、これらの測定結果から算出される第2受光素子62の結合効率CEに基づいて、第2受光素子62が測定した短パルス駆動における半導体レーザ素子1の入出力特性を較正することを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-01-16 |
| 申请日期 | 2006-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35563]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ダイトロンテクノロジー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井川 克彦. 半導体レーザ素子の入出力特性検出方法とその装置. JP4034805B2. 2007-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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