半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 野田 修; 入谷 陽一郎 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP3153856B2 |
| 著作权人 | 三菱重工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 二次元LDアレイ素子を構成する各一次元LDアレイ素子をより均一に冷却することが可能な冷却構造を有する励起源LD装置を備えたLD励起スラブ固体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 各マイクロチャンネルには、水路に流入した冷却水の流れが安定するまでの区間である助走区間を設けた位置に一次元LDアレイ素子を配置する。入口側マニホールドの両側面付近に発生する境界層によって冷却水の流速が主流よりも低下する領域には、一次元LDアレイ素子を設けないダミーチャンネルを配置する。入口側マニホールドには、冷却水の流速分布を均一にするために整流板を設ける。前記整流板は入口側マニホールドの平行部だけでなく拡散部にも設ける。入口側マニホールドには、マニホールドへの冷却水流入方向がマニホールド内の冷却水の流れ方向と直交するように、LD素子冷却水入口を設ける。出口側マニホールドには、マイクロチャンネルを出た冷却水が縮流部に至るまでの助走区間として平行部を設ける。 |
| 公开日期 | 2001-04-09 |
| 申请日期 | 1998-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/36506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱重工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野田 修,入谷 陽一郎. 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置. JP3153856B2. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。