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半導體發光元件及其製造方法

文献类型:专利

作者謝明勳; 蔡嘉芬
发表日期2005-10-11
专利号TWI241728B
著作权人晶元光電股份有限公司
国家中国台湾
文献子类授权发明
其他题名半導體發光元件及其製造方法
英文摘要本發明揭露一種半導體發光元件及其製造方法,此半導體發光元件具有一不透光基板、形成於此不透光基板上之一結合結構、形成於此結合結構上之一半導體發光疊層、以及形成於此半導體發光疊層上之一螢光材料結構,且此半導體發光疊層是分離自一原始成長基板。本發明之半導體發光元件之製造方法包含有分離一半導體發光疊層自一原始成長基板、結合半導體發光疊層至一不透光基板上、及形成一螢光材料結構於半導體發光疊層上方。
公开日期2005-10-11
申请日期2004-09-01
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37097]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位晶元光電股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
謝明勳,蔡嘉芬. 半導體發光元件及其製造方法. TWI241728B. 2005-10-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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