Transistor outline housing and method for producing same
文献类型：专利
| 作者 | HETTLER, ROBERT; TAN, KENNETH; MITTERMEIER, GEORG; DROEGEMUELLER, KARSTEN |
| 发表日期 | 2015-10-13 |
| 专利号 | US9159634 |
| 著作权人 | SCHOTT AG |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Transistor outline housing and method for producing same |
| 英文摘要 | A transistor outline housing is provided that has bonding wires on an upper surface. The bonding wires are reduced in length and have connection leads with an excess length at an end opposite the bonding end. |
| 公开日期 | 2015-10-13 |
| 申请日期 | 2014-01-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37726]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SCHOTT AG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HETTLER, ROBERT,TAN, KENNETH,MITTERMEIER, GEORG,et al. Transistor outline housing and method for producing same. US9159634. 2015-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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