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半导体激光巴条

文献类型:专利

作者张乔; 关永莉; 米洪龙; 梁建; 王琳
发表日期2018-12-21
专利号CN208272358U
著作权人山西飞虹激光科技有限公司
国家中国
文献子类实用新型
其他题名半导体激光巴条
英文摘要本实用新型提供一种半导体激光巴条,属于半导体激光器领域。包括:由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑GaAs限制层、N‑GaAs波导层、量子阱、P‑GaAs波导层、P‑GaAs限制层和P‑GaAs欧姆接触层的GaAs外延片;P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀形成的脊型电流注入区和非电流注入窗口;GaAs外延片上刻蚀形成的光隔离区;在P‑GaAs欧姆接触层、未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖的部分P‑GaAs限制层及光隔离区上方形成的电流限制层,电流限制层刻蚀掉一部分露出脊型电流注入区;电流限制层和脊型电流注入区上方的P面金属电极层,P面金属电极层的两端设有电隔离区;GaAs衬底远离N‑GaAs缓冲层的一面形成的N面金属电极层。本实用新型提高了巴条的输出效率、降低了阈值电流、提高了封装稳定性、产品良率和稳定性,延长了寿命。
公开日期2018-12-21
申请日期2018-05-04
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37948]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山西飞虹激光科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张乔,关永莉,米洪龙,等. 半导体激光巴条. CN208272358U. 2018-12-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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