半导体激光巴条
文献类型:专利
作者 | 张乔; 关永莉; 米洪龙; 梁建; 王琳 |
发表日期 | 2018-12-21 |
专利号 | CN208272358U |
著作权人 | 山西飞虹激光科技有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 半导体激光巴条 |
英文摘要 | 本实用新型提供一种半导体激光巴条,属于半导体激光器领域。包括:由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑GaAs限制层、N‑GaAs波导层、量子阱、P‑GaAs波导层、P‑GaAs限制层和P‑GaAs欧姆接触层的GaAs外延片;P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀形成的脊型电流注入区和非电流注入窗口;GaAs外延片上刻蚀形成的光隔离区;在P‑GaAs欧姆接触层、未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖的部分P‑GaAs限制层及光隔离区上方形成的电流限制层,电流限制层刻蚀掉一部分露出脊型电流注入区;电流限制层和脊型电流注入区上方的P面金属电极层,P面金属电极层的两端设有电隔离区;GaAs衬底远离N‑GaAs缓冲层的一面形成的N面金属电极层。本实用新型提高了巴条的输出效率、降低了阈值电流、提高了封装稳定性、产品良率和稳定性,延长了寿命。 |
公开日期 | 2018-12-21 |
申请日期 | 2018-05-04 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37948] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山西飞虹激光科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张乔,关永莉,米洪龙,等. 半导体激光巴条. CN208272358U. 2018-12-21. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。