一种波长可调谐的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 林中晞; 林琦; 徐玉兰; 陈景源; 钟杏丽; 朱振国; 薛正群; 苏辉 |
| 发表日期 | 2018-12-25 |
| 专利号 | CN208284785U |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种波长可调谐的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：由下至上形成的下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层和上分离限制层；其中，下波导层、有源层和上波导层构成半导体激光器的光限制层中心区域，下分离限制层和上分离限制层构成半导体激光器的包层；上波导层或下波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本实用新型提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应，能够增大半导体激光器的3dB带宽，实现高速调制。本实用新型提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构，实现对半导体激光器波长的选择性输出。 |
| 公开日期 | 2018-12-25 |
| 申请日期 | 2018-06-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林中晞,林琦,徐玉兰,等. 一种波长可调谐的半导体激光器. CN208284785U. 2018-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。