半导体激光设备组件
文献类型:专利
作者 | 河野俊介; 仓本大; 幸田伦太郎 |
发表日期 | 2019-01-18 |
专利号 | CN104143762B |
著作权人 | 索尼公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半导体激光设备组件 |
英文摘要 | 本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括:锁模半导体激光元件组件,包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统,从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光;以及半导体光学放大器,具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体,该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。 |
公开日期 | 2019-01-18 |
申请日期 | 2014-04-30 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38076] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 索尼公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 河野俊介,仓本大,幸田伦太郎. 半导体激光设备组件. CN104143762B. 2019-01-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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