Electroabsorption modulator, and fabricating method of the same
文献类型：专利
| 作者 | MATSUYAMA, TAKAYUKI |
| 发表日期 | 2003-08-05 |
| 专利号 | US6602432 |
| 著作权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Electroabsorption modulator, and fabricating method of the same |
| 英文摘要 | A high-speed operation of an electroabsorption modulator is intended. A p-InGaAs contact layer 9 is formed not only in an optical modulation region MA but also in an optical coupling region CA, and an AlInAs oxide layer 7 is disposed in p-InP cladding layers 5 and 8 in a mesa MS portion of the optical coupling region CA. |
| 公开日期 | 2003-08-05 |
| 申请日期 | 2001-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38118]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MATSUYAMA, TAKAYUKI. Electroabsorption modulator, and fabricating method of the same. US6602432. 2003-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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