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垂直腔面发射激光器的像素结构及其制作方法

文献类型:专利

作者梁栋; 霍轶杰; 刘嵩
发表日期2019-01-29
专利号CN108923261B
著作权人常州纵慧芯光半导体科技有限公司
国家中国
文献子类授权发明
其他题名垂直腔面发射激光器的像素结构及其制作方法
英文摘要本发明提供一种垂直腔面发射激光器的像素结构及其制作方法,所述垂直腔面发射激光器具有一发射窗口,所述像素结构包括在所述发射窗口内形成的若干具有光线出射的亮区子像素以及若干不具有光线出射的暗区子像素,且所述亮区子像素与所述暗区子像素在所述发射窗口内排布成图案。相比现有的结构光模组方案和编码结构光模组方案,本发明可以在维持一定信息密度的情况下有效降低结构光和编码结构光整体光学模组的能耗及制造成本,或者在同样的成本和能耗下达到更高的信息密度和可辨识度。本发明在垂直腔面发射激光器的制造及应用领域具有广泛的应用前景。
公开日期2019-01-29
申请日期2018-10-24
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38136]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位常州纵慧芯光半导体科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
梁栋,霍轶杰,刘嵩. 垂直腔面发射激光器的像素结构及其制作方法. CN108923261B. 2019-01-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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