Fabrication method for algainnpassb based devices
文献类型：专利
| 作者 | KONDOW, MASAHIKO; UOMI, KAZUHISA; NAKAMURA, HITOSHI |
| 发表日期 | 2010-05-18 |
| 专利号 | USR41336 |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN, INC |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Fabrication method for algainnpassb based devices |
| 英文摘要 | A fabrication process for a semiconductor device including a plurality of semiconductor layers, the plurality of semiconductor layers including at least a nitrogen-containing alloy semiconductor AlaGabIn1-a-bNxPyAszSb1-x-y-z (0≦a≦1, 0≦b≦1, 0 |
| 公开日期 | 2010-05-18 |
| 申请日期 | 2003-01-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38143]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN, INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KONDOW, MASAHIKO,UOMI, KAZUHISA,NAKAMURA, HITOSHI. Fabrication method for algainnpassb based devices. USR41336. 2010-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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