一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 温鹏雁; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 杨辉 |
| 发表日期 | 2019-02-12 |
| 专利号 | CN104953467B |
| 著作权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。 |
| 公开日期 | 2019-02-12 |
| 申请日期 | 2014-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温鹏雁,李德尧,张书明,等. 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法. CN104953467B. 2019-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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