一种集中电流注入的VCSEL芯片
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN208571230U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种集中电流注入的VCSEL芯片 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种集中电流注入的VCSEL芯片，所述集中电流注入的VCSEL芯片在外延结构上还设置有电流集中层，该电流集中层配合位于电流集中层两侧的绝缘层以及电连接层，构成了一条从电极结构—电极集中层—导电结构—量子阱层的电流通路，并且由于电流集中层在衬底上的正投影，位于导电结构在衬底上的正投影中，使得形成的该电流通路均匀的分布在导电结构中，避免了电流集中在氧化结构边缘的情况出现，提高了VCSEL芯片内部的电流均匀性，使得所述集中电流注入的VCSEL芯片能够实现单模光的出射。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-09-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种集中电流注入的VCSEL芯片. CN208571230U. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。