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一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用

文献类型:专利

作者赖文勇; 黄维; 方媚; 黄津津
发表日期2019-03-08
专利号CN107033150B
著作权人南京邮电大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用
英文摘要本发明公开了一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用。该材料的结构以三并咔唑结构单元为核,以不同共轭长度的梯形芴结构为臂,选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物。本发明材料结构明确,具有逐渐增大的π共轭体系,特殊的刚性多臂结构使有机梯形共轭分子避免了构型的无序性,同时选用不同电活性官能团封端,可以调节材料的发光特性和电学性能,故表现出较高的光热稳定性和载流子迁移率应用于有机半导体激光领域,具有高增益系数、高热稳定性的特征,适合在有机激光器件或有机电致发光器件上应用。
公开日期2019-03-08
申请日期2017-04-26
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38282]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京邮电大学
推荐引用方式
GB/T 7714
赖文勇,黄维,方媚,等. 一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用. CN107033150B. 2019-03-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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