Nitride semiconductor heterostructures and related methods
文献类型：专利
| 作者 | SCHOWALTER, LEO J.; SMART, JOSEPH A.; LIU, SHIWEN; MORGAN, KENNETH E.; BONDOKOV, ROBERT T.; BETTLES, TIMOTHY J.; SLACK, GLEN A. |
| 发表日期 | 2009-12-29 |
| 专利号 | US7638346 |
| 著作权人 | CRYSTAL IS, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
| 英文摘要 | Semiconductor structures and devices based thereon include an aluminum nitride single-crystal substrate and at least one layer epitaxially grown thereover. The epitaxial layer may comprise at least one of AlN, GaN, InN, or any binary or tertiary alloy combination thereof, and have an average dislocation density within the semiconductor heterostructure is less than about 106 cm−2. |
| 公开日期 | 2009-12-29 |
| 申请日期 | 2006-08-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CRYSTAL IS, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SCHOWALTER, LEO J.,SMART, JOSEPH A.,LIU, SHIWEN,et al. Nitride semiconductor heterostructures and related methods. US7638346. 2009-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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