Side light emitting type semiconductor laser diode having dielectric layer formed on active layer
文献类型：专利
| 作者 | RYU, HAN-YOUL; HA, KYOUNG-HO |
| 发表日期 | 2011-03-01 |
| 专利号 | US7899103 |
| 著作权人 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Side light emitting type semiconductor laser diode having dielectric layer formed on active layer |
| 英文摘要 | Provided is a side light emitting type semiconductor laser diode in which a dielectric layer is formed on an active layer. The side light emitting type semiconductor laser diode includes an n-clad layer, an n-light guide layer, an active layer and a p-light guide layer sequentially formed on a substrate, and a dielectric layer with a ridge structure formed on the p-light guide layer. |
| 公开日期 | 2011-03-01 |
| 申请日期 | 2006-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38312]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | RYU, HAN-YOUL,HA, KYOUNG-HO. Side light emitting type semiconductor laser diode having dielectric layer formed on active layer. US7899103. 2011-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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