GaN single crystal substrate and method of making the same
文献类型：专利
| 作者 | MOTOKI, KENSAKU; OKAHISA, TAKUJI; MATSUMOTO, NAOKI |
| 发表日期 | 2009-04-21 |
| 专利号 | US7521339 |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN single crystal substrate and method of making the same |
| 英文摘要 | The method of making a GaN single crystal substrate comprises a mask layer forming step of forming on a GaAs substrate 2 a mask layer 8 having a plurality of opening windows 10 disposed separate from each other; and an epitaxial layer growing step of growing on the mask layer 8 an epitaxial layer 12 made of GaN. |
| 公开日期 | 2009-04-21 |
| 申请日期 | 2006-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38325]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MOTOKI, KENSAKU,OKAHISA, TAKUJI,MATSUMOTO, NAOKI. GaN single crystal substrate and method of making the same. US7521339. 2009-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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