Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device
文献类型：专利
| 作者 | ASANO, HIDEKI |
| 发表日期 | 2009-12-22 |
| 专利号 | US7635872 |
| 著作权人 | NICHIA CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device |
| 英文摘要 | A semiconductor layer contains, as a principal constituent, a Groups III-V semiconductor compound, which may be represented by the general formula: BxAlyGazN, wherein x represents a number satisfying the condition 0 |
| 公开日期 | 2009-12-22 |
| 申请日期 | 2007-04-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ASANO, HIDEKI. Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device. US7635872. 2009-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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