一种高激励磁场下的原子磁力仪及使用方法
文献类型：专利
| 作者 | 丁志超; 袁杰; 龙兴武 |
| 发表日期 | 2019-04-05 |
| 专利号 | CN106872911B |
| 著作权人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种高激励磁场下的原子磁力仪及使用方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种原子磁力仪，具体是一种高激励磁场下的原子磁力仪及使用方法，属于弱磁场检测技术领域。所述磁力仪包含由895nm DFB半导体激光器、一号凸透镜、二号凸透镜、一号线偏振片和λ/4玻片组成的抽运光路、由852nm DFB半导体激光器、三号凸透镜、四号凸透镜、二号线偏振片、沃拉斯特棱镜和平衡探测器组成的探测光路、亥姆霍兹线圈、加热装置、原子气室、锁定放大器、信号处理系统。本发明利用高激励磁场下MR信号关于激励磁场频率响应的凹陷，实现了一种高灵敏度的原子磁力仪，能够应用于Mx‑MR原子磁力仪中，以提高其灵敏度。 |
| 公开日期 | 2019-04-05 |
| 申请日期 | 2017-03-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38370]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁志超,袁杰,龙兴武. 一种高激励磁场下的原子磁力仪及使用方法. CN106872911B. 2019-04-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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