延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明 |
| 发表日期 | 2019-04-09 |
| 专利号 | CN208723311U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。 |
| 公开日期 | 2019-04-09 |
| 申请日期 | 2018-10-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件. CN208723311U. 2019-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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