一种高阶表面光栅面发射半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 张敏明; 敖应权; 刘德明 |
| 发表日期 | 2019-04-12 |
| 专利号 | CN106848836B |
| 著作权人 | 华中科技大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种高阶表面光栅面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。 |
| 公开日期 | 2019-04-12 |
| 申请日期 | 2017-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38392]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华中科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张敏明,敖应权,刘德明. 一种高阶表面光栅面发射半导体激光器. CN106848836B. 2019-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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