一种垂直腔面发射激光芯片
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明 |
| 发表日期 | 2019-04-12 |
| 专利号 | CN208738609U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光芯片 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。 |
| 公开日期 | 2019-04-12 |
| 申请日期 | 2018-10-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38399]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种垂直腔面发射激光芯片. CN208738609U. 2019-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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