一种共享型VCSEL与HBT集成结构
文献类型：专利
| 作者 | 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天 |
| 发表日期 | 2019-04-19 |
| 专利号 | CN208767611U |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种共享型VCSEL与HBT集成结构 |
| 英文摘要 | 一种共享型VCSEL与HBT集成结构，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。 |
| 公开日期 | 2019-04-19 |
| 申请日期 | 2018-07-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38417]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,周广正,李颖,等. 一种共享型VCSEL与HBT集成结构. CN208767611U. 2019-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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