980nm半导体激光器结构及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭文涛; 谭满清 |
| 发表日期 | 2019-04-30 |
| 专利号 | CN105826815B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 980nm半导体激光器结构及制备方法 |
| 英文摘要 | 一种980nm半导体激光器结构，包括：一n‑GaAs衬底；一n‑GaAs缓冲层制作在n‑GaAs衬底上；一n‑AlGaAs无源波导芯层制作在n‑GaAs缓冲层上；一n‑GaAs空间层制作在n‑AlGaAs无源波导芯层上；一InGaAs/GaAs应变量子阱结构制作在n‑GaAs空间层上；一p‑GaAs缓冲层制作在n‑GaAs空间层上；一n‑GaAs电流阻挡层制作在p‑GaAs缓冲层上；一p‑GaAs欧姆接触层制作在InGaAs/GaAs应变量子阱结构上；分为激光器、模斑转换器和无源波导区。本发明可以将有源区产生的光低损耗绝热地耦合进无源波导芯层传输，从而实现将有源器件的不对称的椭圆光斑转换为对称的圆形光斑，可以提高半导体激光器和光纤的耦合效率，提高其偏调容差，降低耦合封装工艺难度。 |
| 公开日期 | 2019-04-30 |
| 申请日期 | 2016-05-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38435]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭文涛,谭满清. 980nm半导体激光器结构及制备方法. CN105826815B. 2019-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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