二维光子准晶宽区半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 贾志伟; 王利军; 张锦川; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国 |
| 发表日期 | 2019-05-17 |
| 专利号 | CN106025797B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。 |
| 公开日期 | 2019-05-17 |
| 申请日期 | 2016-07-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾志伟,王利军,张锦川,等. 二维光子准晶宽区半导体激光器结构. CN106025797B. 2019-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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