Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films
文献类型：专利
| 作者 | ALLERMAN, ANDREW A.; CRAWFORD, MARY H.; LEE, STEPHEN R. |
| 发表日期 | 2013-01-08 |
| 专利号 | US8349633 |
| 著作权人 | NATIONAL TECHNOLOGY & ENGINEERING SOLUTIONS OF SANDIA, LLC |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films |
| 英文摘要 | A denticulated Group III nitride structure that is useful for growing AlxGa1-xN to greater thicknesses without cracking and with a greatly reduced threading dislocation (TD) density. |
| 公开日期 | 2013-01-08 |
| 申请日期 | 2009-05-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38497]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NATIONAL TECHNOLOGY & ENGINEERING SOLUTIONS OF SANDIA, LLC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ALLERMAN, ANDREW A.,CRAWFORD, MARY H.,LEE, STEPHEN R.. Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films. US8349633. 2013-01-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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