一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法
文献类型：专利
| 作者 | 张明洋; 赵建宜; 王任凡; 岳爱文 |
| 发表日期 | 2019-06-04 |
| 专利号 | CN107453202B |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法。其中可调谐DBR激光器由前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区依次耦合形成，其中，所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区在同一基体上生长得到；根据所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区所在位置，在所述基体上位于上述各区域之间的耦合带设置有隔离槽；所述隔离槽使得各区域的基体之间部分隔离或者相互独立。本发明实施例提供了一种基体相互隔离的DBR可调激光器，不仅克服了现有技术中基体必须为一整体的固有观念，而且通过设置隔离槽有效的改善了各区域间产热相互影响的问题。 |
| 公开日期 | 2019-06-04 |
| 申请日期 | 2017-07-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38563]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张明洋,赵建宜,王任凡,等. 一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法. CN107453202B. 2019-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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