Devices having removed aluminum nitride sections
文献类型：专利
| 作者 | CHUA, CHRISTOPHER L.; KRUSOR, BRENT S.; WUNDERER, THOMAS; JOHNSON, NOBLE M. |
| 发表日期 | 2015-06-23 |
| 专利号 | US9064980 |
| 著作权人 | PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Devices having removed aluminum nitride sections |
| 英文摘要 | One or more layers are epitaxially grown on a bulk crystalline AlN substrate. The epitaxial layers include a surface which is the initial surface of epitaxial growth of the epitaxial layers. The AlN substrate is substantially removed over a majority of the initial surface of epitaxial growth. |
| 公开日期 | 2015-06-23 |
| 申请日期 | 2011-08-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38566]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHUA, CHRISTOPHER L.,KRUSOR, BRENT S.,WUNDERER, THOMAS,et al. Devices having removed aluminum nitride sections. US9064980. 2015-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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