一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根 |
| 发表日期 | 2019-06-21 |
| 专利号 | CN209016430U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器 |
| 英文摘要 | 本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 申请日期 | 2018-10-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38639]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN209016430U. 2019-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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