半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 南政史; 玉田尚久; 上野贵宽; 北川宽士 |
| 发表日期 | 2019-06-28 |
| 专利号 | CN106684706B |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。 |
| 公开日期 | 2019-06-28 |
| 申请日期 | 2016-11-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38665]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南政史,玉田尚久,上野贵宽,等. 半导体激光器及其制造方法. CN106684706B. 2019-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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