Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS
文献类型：专利
| 作者 | BUDD, RUSSELL A.; LEOBANDUNG, EFFENDI; LI, NING ; PLOUCHART, JEAN-OLIVIER; SADANA, DEVENDRA K.
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| 发表日期 | 2016-06-21 |
| 专利号 | US9372307 |
| 著作权人 | INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS |
| 英文摘要 | A method of forming monolithically integrated III-V optoelectronics with a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device. The method may include; forming a buried waveguide in a buried oxide (BOX) layer of a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate; forming a first optoelectronic device and a second optoelectronic device adjacent to the buried waveguide; and forming a CMOS device on a semiconductor layer above the BOX layer. |
| 公开日期 | 2016-06-21 |
| 申请日期 | 2015-03-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38669]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BUDD, RUSSELL A.,LEOBANDUNG, EFFENDI,LI, NING,et al. Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS. US9372307. 2016-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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