基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
文献类型:专利
作者 | 张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤; 乔丽君; 刘毅; 王云才 |
发表日期 | 2019-07-02 |
专利号 | CN107809059B |
著作权人 | 太原理工大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 |
英文摘要 | 本发明涉及集成混沌激光器,具体是基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大,混沌信号带有时延特征、带宽窄的问题。基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由:左分布式反馈半导体激光器,双向放大的半导体光放大器SOA,随机分布布拉格反射光栅部分,右分布式反馈半导体激光器四部分组成。具体包括:N+电极层,N型衬底,InGaAsP下限制层,无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层,随机分布布拉格反射光栅层,分布反馈Bragg光栅,InGaAsP上限制层,P型重掺杂InP盖层,P型重掺杂InGaAs接触层,P+电极层,出光口,隔离沟。 |
公开日期 | 2019-07-02 |
申请日期 | 2017-11-16 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38691] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 太原理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张明江,王安帮,牛亚楠,等. 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片. CN107809059B. 2019-07-02. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。