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基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片

文献类型:专利

作者张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤; 乔丽君; 刘毅; 王云才
发表日期2019-07-02
专利号CN107809059B
著作权人太原理工大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
英文摘要本发明涉及集成混沌激光器,具体是基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大,混沌信号带有时延特征、带宽窄的问题。基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由:左分布式反馈半导体激光器,双向放大的半导体光放大器SOA,随机分布布拉格反射光栅部分,右分布式反馈半导体激光器四部分组成。具体包括:N+电极层,N型衬底,InGaAsP下限制层,无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层,随机分布布拉格反射光栅层,分布反馈Bragg光栅,InGaAsP上限制层,P型重掺杂InP盖层,P型重掺杂InGaAs接触层,P+电极层,出光口,隔离沟。
公开日期2019-07-02
申请日期2017-11-16
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38691]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位太原理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张明江,王安帮,牛亚楠,等. 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片. CN107809059B. 2019-07-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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