基于纵向磁场调制的三轴矢量原子磁力仪及使用方法
文献类型：专利
| 作者 | 丁志超; 袁杰; 龙兴武 |
| 发表日期 | 2019-07-02 |
| 专利号 | CN106842074B |
| 著作权人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于纵向磁场调制的三轴矢量原子磁力仪及使用方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于纵向磁场调制的三轴矢量原子磁力仪及使用方法，属于弱磁场检测技术领域。所述原子磁力仪包含由一号895nm DFB半导体激光器、一号凸透镜、二号凸透镜、一号线偏振片和λ/4玻片组成的抽运光路、由二号895nm DFB半导体激光器、三号凸透镜、四号凸透镜、二号线偏振片、沃拉斯特棱镜和平衡探测器组成的探测光路、由互相正交的一号亥姆霍兹线圈、二号亥姆霍兹线圈、三号亥姆霍兹线圈组成的三维磁场产生装置、加热装置、原子气室、锁定放大器、信号处理系统。本发明由于采用了纵向的磁场调制，能够较大程度减小技术噪声，因而此发明能够实现极高的灵敏度。另外，利用纵向磁场调制可以减小轴间的串扰，使检测的磁场方向更加精确。 |
| 公开日期 | 2019-07-02 |
| 申请日期 | 2017-03-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38694]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁志超,袁杰,龙兴武. 基于纵向磁场调制的三轴矢量原子磁力仪及使用方法. CN106842074B. 2019-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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