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半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広
发表日期2000-06-09
专利号JP3075512B2
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レーザ素子
英文摘要【課題】 射端面の光吸収による温度上昇を防ぐことができ、高出力状態においても高い信頼性を有する半導体レーザ素子が得られる。 【解決手段】 端面部のチャネル幅を広げる。
公开日期2000-08-14
申请日期1987-12-29
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38699]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
河西 秀典,林 寛,森本 泰司,等. 半導体レーザ素子. JP3075512B2. 2000-06-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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