一种长波长垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘丽杰; 王玥; 吴远大; 安俊明; 胡雄伟 |
| 发表日期 | 2019-07-05 |
| 专利号 | CN106856296B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种长波长垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，包括衬底，衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔，p面电极蒸镀于p型空间层上，并包围出光孔，n型DBR中间设有电流限制层，电流限制层上形成有圆形电流限制孔，衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构，其直径大于所述出光孔的直径，小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻，增加注入载流子的效率，实现器件的高速特性的改进。 |
| 公开日期 | 2019-07-05 |
| 申请日期 | 2016-12-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38702]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘丽杰,王玥,吴远大,等. 一种长波长垂直腔面发射激光器. CN106856296B. 2019-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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