Semiconductor laser and method of fabricating same
文献类型：专利
| 作者 | ELMAN, BORIS S.; SHARFIN, WAYNE F. |
| 发表日期 | 1992-12-29 |
| 专利号 | US5175740 |
| 著作权人 | GTE LABORATORIES INCORPORATED, A CORP. OF DE. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| 英文摘要 | A ridge-waveguide laser is fabricated by epitaxially growing a GaAs-based heterostructure, disposing an AlAs etch stop layer on the heterostructure, disposing epitaxial layers on the etch stop layer, and etching the heterostructure to form the laser whereby the etch stop layer prevents further etching into said heterostructure. |
| 公开日期 | 1992-12-29 |
| 申请日期 | 1991-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38704]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | GTE LABORATORIES INCORPORATED, A CORP. OF DE. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ELMAN, BORIS S.,SHARFIN, WAYNE F.. Semiconductor laser and method of fabricating same. US5175740. 1992-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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