面発光レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 足立 秀人; 松田 賢一 |
| 发表日期 | 1997-09-19 |
| 专利号 | JP2697453B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 低い印加電圧で動作することのできる垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。 【構成】 GaAs基板と前記GaAs基板上にGaAs/AlAs半導体多層膜からなるp型ミラー層、In0.2Ga0.8As歪超格子からなる活性層、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるn型ミラー層がこの順序で積層されたエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の前記活性層までをエッチングすることによって形成したメサを有している。 |
| 公开日期 | 1998-01-14 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38706]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足立 秀人,松田 賢一. 面発光レーザ. JP2697453B2. 1997-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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