半導体レーザ素子および光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2005-02-04 |
| 专利号 | JP3642386B2 |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 可飽和吸収層のバンドギャップとキャリア寿命を制御して、自励発振を安定して動作させることの可能な半導体レーザ素子および光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 この半導体レーザ素子は、第1導電型の半導体基板40上に、第1導電型のクラッド層103,活性層50,第2導電型のクラッド層105が順次に積層されており、第2導電型のクラッド層105上に可飽和吸収層51が形成されている。ここで、可飽和吸収層51は、活性層50のバンドギャップとほぼ等しいか、または、わずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされている。 |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 申请日期 | 1998-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38728]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 孝志. 半導体レーザ素子および光ディスク装置. JP3642386B2. 2005-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。