半導体量子井戸構造
文献类型：专利
| 作者 | 新田 淳 |
| 发表日期 | 2002-05-10 |
| 专利号 | JP3303631B2 |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸構造 |
| 英文摘要 | 【課題】複数の井戸に対して電子の準位を一致させ、かつ軽い正孔と重い正孔のうち一方だけの準位を一致させることにより、従来より厚膜あるいは多重の量子井戸でありつつ重い正孔と軽い正孔の準位を分離させることができる半導体量子構造である。 【解決手段】複数の量子井戸の少なくとも1つに異なる面内応力を作用させる。複数の量子井戸中で電子の量子準位が一致し、かつ重い正孔の準位と軽い正孔の準位のどちらか一方が一致し、もう一方の準位が一致しない。こうして、準位が一致している正孔に対しては井戸幅が広くなったのと同様の作用を与え、一方で準位が一致していない正孔に対してはこの様な作用を与えなくしている。更に、量子井戸を構成している障壁層17の厚さが、各井戸層中の電子や正孔の波動関数が互いに十分結合する程度である。 |
| 公开日期 | 2002-07-22 |
| 申请日期 | 1995-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38741]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 淳. 半導体量子井戸構造. JP3303631B2. 2002-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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