多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 周旭亮; 李召松; 王梦琦; 王嘉琪; 于红艳; 潘教青; 王圩 |
| 发表日期 | 2019-07-19 |
| 专利号 | CN108110613B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法 |
| 英文摘要 | 一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。 |
| 公开日期 | 2019-07-19 |
| 申请日期 | 2016-11-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周旭亮,李召松,王梦琦,等. 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法. CN108110613B. 2019-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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