Laser diode
文献类型：专利
| 作者 | IMANISHI, DAISUKE; MIYAZAKI, SHIGEKI; NAGANUMA, KAORI; TAKIGUCHI, YOSHIRO |
| 发表日期 | 2010-04-06 |
| 专利号 | US7693199 |
| 著作权人 | SONY CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Laser diode |
| 英文摘要 | A laser diode capable of operating at high temperature by preventing carrier overflow is provided. A laser diode includes an AlGaInP-based laminate configuration including at least a lower cladding layer, an active layer and an upper cladding layer in this order, wherein the AlGaInP-based laminate configuration receives a larger compressive stress than 2200 ppm from a stress source. |
| 公开日期 | 2010-04-06 |
| 申请日期 | 2008-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IMANISHI, DAISUKE,MIYAZAKI, SHIGEKI,NAGANUMA, KAORI,et al. Laser diode. US7693199. 2010-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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