半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡川 広明; 只友 一行; 大内 洋一郎 |
| 发表日期 | 2007-05-18 |
| 专利号 | JP3958818B2 |
| 著作权人 | 三菱電線工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光特性や寿命特性に優れた半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子において、この積層半導体層における低転位領域を発光層として用いる。低転位領域を発光層として用いることで、結果として高品質な結晶の部分のみを発光層として用いることとなるので、発光特性や寿命特性を向上させることができる。低転位領域を発光層として用いる具体的手段として、発光層に多数の孔を形成させる方法があり、この孔は発光層における欠陥部に対応して設けられる。これにより発光層は欠陥の部分を除去した場所、つまり低転位領域のみとすることができる。 |
| 公开日期 | 2007-08-15 |
| 申请日期 | 1997-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38777]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電線工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡川 広明,只友 一行,大内 洋一郎. 半導体発光素子及びその製造方法. JP3958818B2. 2007-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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