基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器
文献类型:专利
作者 | 孔春霞; 罗云; 戴瑞; 张雪; 季晓炜 |
发表日期 | 2019-08-06 |
专利号 | CN209217428U |
著作权人 | 南京信息工程大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器 |
英文摘要 | 本实用新型公开了一种基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器,半导体激光器产生的连续光束依次穿过耦合透镜、第一平凹镜、增益介质和第二平凹镜,并通过第二平凹镜反射形成第一反射光束,第一反射光束射至反射镜上,并经反射镜反射形成第二反射光束,第二反射光束回射至第二平凹镜上,并经第二平凹镜反射形成第三反射光束,第三反射光束穿过增益介质并射至第一平凹镜,经第一平凹镜反射形成第四反射光束,第四反射光束穿过MoS2/Gr可饱和吸收体并射至输出镜上。相较于单纯的二硫化钼,MoS2/Gr复合材料对氧化还原反应的催化能力显著提高,在光学激光器领域应用更为广泛。本实用新型流程少、操作简单,制备质量完全满足固体激光器应用要求。 |
公开日期 | 2019-08-06 |
申请日期 | 2018-10-26 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38817] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京信息工程大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔春霞,罗云,戴瑞,等. 基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器. CN209217428U. 2019-08-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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