一种边射型半导体激光器芯片结构
文献类型：专利
| 作者 | 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 张西璐; 刘虎强; 刘晨; 赵小亮; 刘阿娟; 李登科; 席人杰 |
| 发表日期 | 2019-08-09 |
| 专利号 | CN209233160U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种边射型半导体激光器芯片结构 |
| 英文摘要 | 一种边射型半导体激光器芯片结构，包括InGaAsP量子阱层、InP包覆层、金属接触层铟镓砷层和P型掺杂InP层；InGaAsP量子阱层的一端设置有InP包覆层生长面，InP包覆层生长面的上表面低于InGaAsP量子阱层的上表面；InP包覆层设置在InP包覆层生长面，InP包覆层的上表面与InGaAsP量子阱层上表面齐平；P型掺杂InP层设置在InGaAsP量子阱层和InP包覆层的上表面；金属接触层铟镓砷层设置在P型掺杂InP层的上表面。本实用新型在端面量子阱尖角结构处，由于量子阱区厚度被缩小，导致在这一区域量子阱对光的束缚能力减弱，从而达到减小激光器芯片的发散角的目的。 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 申请日期 | 2019-01-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38834]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 师宇晨,王兴,罗俊岗,等. 一种边射型半导体激光器芯片结构. CN209233160U. 2019-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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