一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构
文献类型：专利
| 作者 | 董延; 李马惠; 穆瑶; 卫思逸; 杨亚楠; 任鹏强; 伍成阳; 韦盼; 焦富翔 |
| 发表日期 | 2019-08-09 |
| 专利号 | CN209233159U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构 |
| 英文摘要 | 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构，包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层；基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱，分布式反馈‑多量子阱的末端和电吸收‑多量子阱的首端相接；反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱的上表面设置有光栅层，光栅层上方沉积设置有包层；包层上刻蚀设置有电隔离区；本实用新型实现了对信道切换间的窜扰的隔离。本实用新型芯片的可关断功率可以达到‑20dBm～‑60dBm，满足光信号隔离要求。 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 申请日期 | 2019-01-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38836]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董延,李马惠,穆瑶,等. 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构. CN209233159U. 2019-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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