一种VCSEL阵列结构
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 |
| 发表日期 | 2019-08-30 |
| 专利号 | CN209329393U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种VCSEL阵列结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层。通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-03-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,赵炆兼,等. 一种VCSEL阵列结构. CN209329393U. 2019-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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