一种低氧化应力的VCSEL芯片
文献类型：专利
| 作者 | 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 |
| 发表日期 | 2019-08-30 |
| 专利号 | CN209329394U |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种低氧化应力的VCSEL芯片 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种低氧化应力的VCSEL芯片，芯片包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化限制层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，所述氧化限制层包括依次层叠设置的Al0.9Ga0.1As外延层、AlXGa1‑XAs外延层和Al0.98Ga0.02As外延层，所述Al0.9Ga0.1As外延层靠近所述有源层设置，所述Al0.98Ga0.02As外延层靠近所述第二DBR层设置，其中X为Al元素的组分，X大于等于0且小于0.9。本实用新型采用多层的氧化限制层结构，氧化应力得到平衡，从而降低了氧化应力，进而降低了外延由于应力导致的脱落风险。 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-03-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,郭冠军,等. 一种低氧化应力的VCSEL芯片. CN209329394U. 2019-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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